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이력서 (최종 업데이트: 2022년 5월 26일)

경력

  • 인텔 Transistor/Interconnect Process/Device Development Engineer, 2020년 3월 ~ 현재 

  • 퍼듀대학교 박사 연구생 (Research Assistant), 2016년 5월 ~ 2019년 5월

  • 퍼듀대학교 학부 강의/실험 조교 (Teaching Assistant), 2015년 8월 ~ 2018년 5월

ECE 208 - Electronic Devices and Design Laboratory

  • KAIST 석사 연구생, 2012년 2월 - 2014년 2월

Nano IC Technology 연구실 (nit.kaist.ac.kr)

  • 대한민국 공군 만기전역 (병 637기, 전력운영특기), 2006.3월 - 2008.5월

서울공항 시설대대 발/변전반

 

학력

퍼듀대학교, 공과대학, 전기 및 전자공학과 (2015 - 2019)

박사과정 (2015.8.24 ~ 2019.12.15)

연구주제: 고성능 저마늄 (Germanium) 채널 Fin/Nanowire FET소자의 공정/개발 관련 연구.

지도교수: Peide, Ye (https://engineering.purdue.edu/~yep/)

​학위심사교수: Muhammad A. Alam, Peter Bermel, Dana Weinstein

​다음 동영상은 퍼듀대학교에서 연구 중 촬영에 참가했던 영상입니다. 20초 가량부터 나옵니다. 

 

KAIST, 공과대학, 전기 및 전자공학과 (2012 - 2014)

졸업학점: 4.25/4.30 (학과석차 3/138, 전체석사졸업자 6/949)

석사학위논문, 지도교수: 조병진

학위심사교수: 이희철, 최양규

진공열처리와 Hf박막을 이용한 1nm이하 EOT를 가지는 Ge pMOS 구조에서의 전기적 특성 개선에 관한 연구.

 

 

다음 동영상은 제가 KAIST에서 연구 중 촬영에 참가했던 미국공학교육학회 (ASEE) 총회에서 상영할 카이스트 공식 영문 홍보영상입니다. 실험 모습은 4:47부터 나오며 인터뷰 영상은 5:06에 나옵니다.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

한양대학교, 공과대학 (2005 - 2012)

전자통신컴퓨터공학과

 

졸업학점: 4.38/4.5 (전자과 수석졸업, 석차 1/160)

졸업작품:

안드로이트 스마트폰의 블루투스로 제어가능한 자전거 바퀴 LED 잔상표시기

http://youtu.be/58xfEayH7WU

 

다음 영상은 영문자막이 포함되어있습니다. [Subtitles/CC] 를 누르시면 영문 자막을 보실 수 있습니다.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

저서

학회

[13] Mengwei Si, Yandong Luo, Wonil Chung, Hagyoul Bae, Dongqi Zheng, Junkang Li, Jingkai Qin, Gang Qiu, Shimeng Yu, Peide D. Ye, “A Novel Scalable Energy-Efficient Synaptic Device: Crossbar Ferroelectric Semiconductor Junction,” International Electron Devices Meeting (IEDM), San Francisco, USA, December 7-11, 2019.

[12] Hagyoul Bae, Mengwei Si, Jinhyun Noh, Gang Qiu, Adam R. Charnas, Wonil Chung, Xiao Lyu, Sami Alghamdi, and Peide D. Ye, “Atomic Layer Deposited Ultrathin and Transparent Cu2O-based Solar Blind Ultraviolet Light Photodetector with a Novel Copper Precursor,” in 50th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC), San Diego, USA, December 12-14, 2019.

[11] Wonil Chung, Mengwei Si, and Peide D. Ye, “Observation of Anomalous Bias Temperature Instability in Hf0.5Zr0.5O2-based Germanium Ferroelectric Nanowire pFETs,” in 49th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC), San Diego, USA, December 6-8, 2018.

[10] Wonil Chung, Mengwei Si, and Peide D. Ye, “First Demonstration of Ge Ferroelectric Nanowire FET as Synaptic Device for Online Learning in Neural Network with High Number of Conductance State and Gmax/Gmin,” International Electron Devices Meeting (IEDM), San Francisco, USA, December 1-5, 2018.

[9] Sami Alghamdi, Wonil Chung, Mengwei Si, and Peide D. Ye, “Time Response of Polarization Switching in Ge Hafnium Zirconium Oxide Nanowire Ferroelectric Field-effect Transistors,” Device Research Conference (DRC), Santa Barbara, USA, June 24-27, 2018.

[8] Wonil Chung, Mengwei Si, and Peide D. Ye, “Alleviation of Short Channel Effects in Ge Negative Capacitance pFinFETs,” Device Research Conference (DRC), Santa Barbara, USA, June 24-27, 2018.

[7] Mengwei Si, Wonil Chung, Gang Qiu, Jinhyun Noh, and Peide D. Ye, "Anti-Ferroelectric Hafnium Zirconium Oxide Enhancement on MoS2 Negative Capacitance Field-effect Transistor Gate Stack," IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW), Honolulu, USA, June 17-18, 2018. 

[6] Wonil Chung, Mengwei Si, Pragya R. Shrestha, Jason P. Campbell, Kin P. Cheung, Peide D. Ye, "First Direct Experimental Studies of Hf0.5Zr0.5O2 Ferroelectric Polarization Switching Down to 100-picosecond in Sub-60mV/dec Germanium Ferroelectric Nanowire FETs", Symposia on VLSI Technology and Circuits (Late News), Honolulu, USA, June 18-22, 2018.

[5] Wonil Chung, Heng Wu, Mengwei Si, and Peide D. Ye, “Experimental extraction of Ballistic Efficiency of Germanium Nanowire NMOSFETs,” in 48th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC), San Diego, USA, December 6-9, 2017.

[4] Wonil Chung, Mengwei Si, and Peide D. Ye, "Hysteresis-free Negative Capacitance Germanium CMOS FinFETs with Bi-directional Sub-60 mV/dec," International Electron Devices Meeting (IEDM), San Francisco, USA, December 4-6, 2017.

[3] Mengwei Si, C. Jiang, C.-J. Su, Y.-T. Tang, Lingming Yang, Wonil Chung, M. A. Alam, and Peide D. Ye, "Sub-60 mV/dec Ferroelectric

HZO MoS2 Negative Capacitance Field-effect Transistor with Internal Metal Gate: the Role of Parasitic Capacitance ," International Electron Devices Meeting (IEDM), San Francisco, USA, December 4-6, 2017.

[2] Yunsang Shin, Wonil Chung, Yusin Seo, Choongho Lee, Dongkyun Sohn and Byung Jin Cho, “Demonstration of Ge pMOSFETs with 6 A EOT using TaN/ZrO2/Zr-cap/n-Ge(100) Gate stack Fabricated by Novel Vacuum Annealing and in-situ metal capping method,” Symposium on VLSI Technology (VLSI), Honolulu, USA, June 9-13, 2014.

[1] Wonil Chung, Yunsang Shin, Choongho Lee, Dongkyun Sohn, and Byung Jin Cho, “In-situ Hafnium capping process for 0.6 nm EOT on Ge Wafer,” The 21st Korean Conference on Semiconductors (KCS), Seoul, Republic of Korea, February 24-26, 2014.

논문

[9] Dongqi Zheng, Wonil Chung, Zhizhong Chen, Mengwei Si, Calista Wilk and Peide D. Ye, “Controlling Threshold Voltage of CMOS SOI Nanowire FETs with Sub-1-nm Dipole Layers Formed by Atomic Layer Deposition,” IEEE Transactions on Electron Devices (TED), vol. 69, no. 2, pp. 851-856, 2022.

[8] Hagyoul Bae, Tae Joon Park, Jinhyun Noh, Wonil Chung, Mengwei Si, Shriram Ramanathan and Peide D. Ye, “First demonstration of robust tri-gate β-Ga2O3 nano-membrane field-effect transistors,” Nanotechnology, vol. 33, no. 12, 2021.

[7] Hagyoul Bae, Adam Charnas, Wonil Chung, Mengwei Si, Xiao Lyu, Xin Sun, Haiyan Wang, Dmitry Zemlyanov, and Peide D. Ye, “Ultrathin Transparent Copper(I) Oxide Films Grown by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition for BEOL p-Type Transistors,” Nano Express, vol. 2, no. 2, 2021.

[6] Jinhyun Noh, Hagyoul Bae, Junkang Li, Yandong Luo, Yiming Qu, Tae Joon Park, Mengwei Si, Xuegang Chen, Adam R. Charnas, Wonil Chung, Xiaochen Peng, Shriram Ramanathan, Shimeng Yu, and Peide D. Ye, “First Experimental Demonstration of Robust HZO/β-Ga2O3 Ferroelectric Field-Effect Transistors as Synaptic Devices for Artificial Intelligence Applications in a High Temperature Environment,” IEEE Transactions of Electron Devices (TED), vol. 68, no. 5, p. 2515-2521, 2021.

[5] Mengwei Si, Zehao Lin, Jinhyun Noh, Junkang Li, Wonil Chung, Peide D. Ye, “The Impact of Channel Semiconductor on the Memory Characteristics of Ferroelectric Field-Effect Transistors,” Journal of the Electron Devices Society, vol. 8, pp. 846-849, 2020.

[4] Hagyoul Bae, Adam R. Charnas, Xing Sun, Jinhyun Noh, Mengwei Si, Wonil Chung, Gang Qiu, Xiao Lyu, Sami Alghamdi, Haiyan Wang, Dmitry Zemlyanov, Peide D. Ye, “Solar-blind UV photodetector based on atomic layer deposited Cu2O and nano-membrane β-Ga2O3 pn oxide heterojunction,” ACS Omega, vol. 4, pp. 20756-20761, 2019.

[3] Wonil Chung, Heng Wu, Wangran Wu, Mengwei Si, and Peide D. Ye, “Experimental Extraction of Ballisticity in Germanium Nanowire nMOSFETs,” IEEE Transactions on Electron Devices (TED), vol. 66, no. 8, pp. 3541–3548, Aug. 2019.

[2] SangHoon Shin, Hai Jiang, Woojin Ahn, Heng Wu, Wonil Chung, Peide D. Ye, and Muhammad Ashraful Alam, “Performance Potential of Ge CMOS Technology From a Material-Device-Circuit Persperctive,” IEEE Transactions of Electron Devices (TED), vol. 65, no. 5, p. 1679-1684, 2018.

[1] Mengwei Si, Chunsheng Jiang, Wonil Chung, Yuchen Du, Muhammad A. Alam, and Peide D. Ye, “Steepslope WSe2 Negative Capacitance Field-effect Transistor,” Nano Letters, vol. 18, no. 6, 2018

​저서

[1] Wonil Chung, Heng Wu, and Peide Ye, “Integration of Germanium into Modern CMOS: Challenges and Breakthroughs,” in Advanced Nanoelectronics, Weinheim, Germany: Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 2018, pp. 91–117.

참여 프로젝트

박사과정 (2015 - 현재)

  • Silicon (SOI) / Germanium (GeOI) 기반의 CMOS Fin/Nanowire FET 소자 공정 및 연구

반도체 공정 장비 활용: E-beam Lithography (JEOL JBX-8100FS, VISTEC VB6, VISTEC EBPG5200), Photolithography (Karl Suss MJB-3, MJB4), E-beam Evaporator (CHA, PVD systems), Plasma RIE Etcher (Panasonic E620), RTA (Jipelec, Minipulse), Tube Furnace (Protemp), Thermal/Plasma Metal and Oxide ALD (Arradiance XT4/XT8, F120), SEM (Hitachi S4800)

기업 프로젝트 진행: Lam research (2016 ~ 2017), Samsung Advanced Logic Lab (2018 ~ )

석사과정 (2012 - 2014)

  • 15nm 이하 로직소자를 위한 고성능 Ge MOSFET 공정 개발 (삼성전자 시스템LSI부서와 공동 프로젝트 진행)

HfO2 기반 1nm이하 EOT를 가지는 Ge pMOS에 Hf 금속 성분을 첨가를 통한 히스테레시스와 게이트 누설전류 감소

  - 반도체 공정 장비 사용 경험 및 관리

i) Jusung EUREKA-3000 Atomic Layer Deposition (ALD) System

ii) AJA RF, DC Magnetron Metal Sputtering System

 

학부과정

  • 전자실험 프로젝트

i) Designed and implemented Persistence of Vision Display with a Bluetooth communication system and displayed RPM/Speed of a bicycle wheel (2011)

ii) Designed cooling fan control with temperature sensor and an ATMEGA16 microcontroller (2009)

  • 디스플레이구동회로 디자인 및 공정

i) Implemented 8-bit Data Driving Circuit (Digital Block) for LCD using Cadence & Hspice tool (2011)

ii) IPS panel redesign project by optimization of metal patterns using TechWiz LCD Simulator (2011)

  • 디지털신호처리 프로젝트

i) Designed FIR/IIR filter with MATLAB (2010)

  • RF 디자인 프로젝트

i) Designed Quadrature Hybrid with HFSS v.11 (2010)

 

수상/장학경력

- 안드로이트 스마트폰의 블루투스로 제어가능한 자전거 바퀴 LED 잔상표시기

  • 한국장학재단, 이공계장학금 (3학년 1학기 ~ 4학년2학기)

  • 한양대학교 전자과 성적우수 전액 장학금 (1학년 2학기 ~ 2학년 2학기)

  • 해외조사연수단, 보건복지가족부 장관상, 2009

-주제: 북유럽의 지속가능/친환경 기술조사와 한국에의 적용가능성 연구

 

어학

  • 어학시험

     i) 토플: 116 (리딩30, 리스닝29, 스피킹29, 라이팅 28)

     ii) GRE: Verb. 160 / Quant. 170 / Writing 4.0

     iii) 한자능력시험: 한국어문회 2급

 

  • 해외거주경험

   i) 싱가폴: 1995년 12월 22일 – 2000년 8월 17일

싱가폴 한국학교 (초등학교)

싱가폴 미국 국제학교 (중학교)

   ii) 미국: 2015년 7월 28일 – 현재

       퍼듀 Purdue 대학교, 박사과정 (대학원)

 

 

교외활동

  • 배낭여행 경험 – 현재 30여개국 이상 여행 (2005 - 현재)

  • 월드비전 해외아동 2명 후원 – (2009 - 현재)

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